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APT10SCE120B

APT10SCE120B

僅供參考

型號 APT10SCE120B
PNEDA編號 APT10SCE120B
描述 DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,200
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT10SCE120B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT10SCE120B
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
APT10SCE120B, APT10SCE120B數據表 (總頁數: 4, 大小: 604.96 KB)
PDFAPT10SCE120B數據表 封面
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APT10SCE120B規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管類型Silicon Carbide Schottky
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)43A (DC)
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果1.8V @ 10A
速度No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢復時間(trr)0ns
當前-反向泄漏@ Vr200µA @ 1200V
電容@ Vr,F630pF @ 1V, 1MHz
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247
工作溫度-結點-55°C ~ 175°C

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 40V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 800A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

11µs

當前-反向泄漏@ Vr

50mA @ 2600V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

包裝/箱

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制造商

Microsemi Corporation

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二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

50V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

630mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1.5mA @ 50V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Chassis, Stud Mount

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.1V @ 3A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

5µs

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 200V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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100V

電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

950mV @ 1A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

35ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

20pF @ 4V, 1MHz

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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