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APT11GP60BDQBG

APT11GP60BDQBG

僅供參考

型號 APT11GP60BDQBG
PNEDA編號 APT11GP60BDQBG
描述 IGBT 600V 41A 187W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,564
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT11GP60BDQBG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT11GP60BDQBG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
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APT11GP60BDQBG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)41A
電流-集電極脈沖(Icm)45A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 11A
功率-最大187W
開關能量46µJ (on), 90µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用40nC
25°C時的Td(開/關)7ns/29ns
測試條件400V, 11A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247-3

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

330A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.4V @ 15V, 20A

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223W

開關能量

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輸入類型

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門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

-

反向恢復時間(trr)

23ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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