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APT1204R7BFLLG

APT1204R7BFLLG

僅供參考

型號 APT1204R7BFLLG
PNEDA編號 APT1204R7BFLLG
描述 MOSFET N-CH 1200V 3.5A TO-247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 9,228
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT1204R7BFLLG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT1204R7BFLLG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT1204R7BFLLG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.7Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs31nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds715pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)135W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 [B]
包裝/箱TO-247-3

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100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

250mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

280mW (Tj)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

-

技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

供應商設備包裝

-

包裝/箱

-

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FET類型

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

180A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 106A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

215nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9575pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

375W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 1.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

140pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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