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APT13003NZTR-G1

APT13003NZTR-G1

僅供參考

型號 APT13003NZTR-G1
PNEDA編號 APT13003NZTR-G1
描述 IC POWER TRANSISTOR HV TO92
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 77,712
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT13003NZTR-G1資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT13003NZTR-G1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
APT13003NZTR-G1, APT13003NZTR-G1數據表 (總頁數: 7, 大小: 437.42 KB)
PDFAPT13003NZTR-G1數據表 封面
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APT13003NZTR-G1規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)1.5A
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)900V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic400mV @ 250mA, 1A
當前-集電極截止(最大值)-
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce5 @ 1A, 2V
功率-最大1W
頻率-過渡4MHz
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

650mV @ 200mA, 2A

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

300 @ 1mA, 5V

功率-最大

650mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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當前-集電極(Ic)(最大值)

150mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

50V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

400mV @ 5mA, 50mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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功率-最大

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Diodes Incorporated

制造商

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系列

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晶體管類型

NPN

當前-集電極(Ic)(最大值)

1A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

60V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 100mA, 1A

當前-集電極截止(最大值)

100nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 500mA, 5V

功率-最大

350mW

頻率-過渡

150MHz

工作溫度

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制造商

Diodes Incorporated

系列

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晶體管類型

PNP

當前-集電極(Ic)(最大值)

5.5A

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

40V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

185mV @ 550mA, 5.5A

當前-集電極截止(最大值)

20nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

200 @ 500mA, 2V

功率-最大

2.1W

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工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

-

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