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APT15GP60BDQ1G

APT15GP60BDQ1G

僅供參考

型號 APT15GP60BDQ1G
PNEDA編號 APT15GP60BDQ1G
描述 IGBT 600V 56A 250W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,120
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT15GP60BDQ1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT15GP60BDQ1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT15GP60BDQ1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)56A
電流-集電極脈沖(Icm)65A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.7V @ 15V, 15A
功率-最大250W
開關能量130µJ (on), 120µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用55nC
25°C時的Td(開/關)8ns/29ns
測試條件400V, 15A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 40A

功率-最大

577W

開關能量

2.7mJ (on), 1.6mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

87nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/177ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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安裝類型

Through Hole

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 11.5A

功率-最大

45W

開關能量

230µJ (on), 110µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

37nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/117ns

測試條件

400V, 11.5A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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開關能量

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門禁費用

12.1nC

25°C時的Td(開/關)

5.4ns/25.4ns

測試條件

400V, 5A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

35ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

85A

電流-集電極脈沖(Icm)

90A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

320W

開關能量

2.11mJ (on), 1.18mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

157nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/229ns

測試條件

600V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

153ns

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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