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APT15GT120BRG

APT15GT120BRG

僅供參考

型號 APT15GT120BRG
PNEDA編號 APT15GT120BRG
描述 IGBT 1200V 36A 250W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,086
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT15GT120BRG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT15GT120BRG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT15GT120BRG規格

制造商Microsemi Corporation
系列Thunderbolt IGBT®
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)36A
電流-集電極脈沖(Icm)45A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.6V @ 15V, 15A
功率-最大250W
開關能量585µJ (on), 260µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用105nC
25°C時的Td(開/關)10ns/85ns
測試條件800V, 15A, 5Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

電流-集電極脈沖(Icm)

100A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 25A

功率-最大

375W

開關能量

830µJ (on), 2.37mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

31ns/147ns

測試條件

600V, 25A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

265ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247-3

APT13GP120BG

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

POWER MOS 7®

IGBT類型

PT

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

41A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 13A

功率-最大

250W

開關能量

115µJ (on), 165µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

55nC

25°C時的Td(開/關)

9ns/28ns

測試條件

600V, 13A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

TO-247 [B]

制造商

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系列

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

86A

電流-集電極脈沖(Icm)

195A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 40A

功率-最大

300W

開關能量

800µJ (on), 1.25mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

68nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/140ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

37ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

34A

電流-集電極脈沖(Icm)

68A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.6V @ 15V, 18A

功率-最大

100W

開關能量

260µJ (on), 3.45mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

50nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/540ns

測試條件

480V, 18A, 23Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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