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APT200GN60J

APT200GN60J

僅供參考

型號 APT200GN60J
PNEDA編號 APT200GN60J
描述 IGBT 600V 283A 682W SOT227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 6 - 十二月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT200GN60J資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT200GN60J
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APT200GN60J規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)283A
功率-最大682W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.85V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)25µA
輸入電容(Cies)@ Vce14.1nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱ISOTOP
供應商設備包裝ISOTOP®

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

76µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1nF @ 25V

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.5nF @ 25V

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1.8V @ 15V, 40A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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制造商

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Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

140A

功率-最大

480W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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