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APT20M19JVR

APT20M19JVR

僅供參考

型號 APT20M19JVR
PNEDA編號 APT20M19JVR
描述 MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT20M19JVR資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT20M19JVR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
APT20M19JVR, APT20M19JVR數據表 (總頁數: 4, 大小: 73.95 KB)
PDFAPT20M19JVR數據表 封面
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APT20M19JVR規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS V®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)200V
電流-25°C時的連續漏極(Id)112A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs19mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs495nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11640pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)500W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝ISOTOP®
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.65nC @ 10V

Vgs(最大)

±40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

72pF @ 25V

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80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 56A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 80µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

196nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9417pF @ 25V

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

299mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 440µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

380mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

68nC @ 10V

Vgs(最大)

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