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APT25GN120B2DQ2G

APT25GN120B2DQ2G

僅供參考

型號 APT25GN120B2DQ2G
PNEDA編號 APT25GN120B2DQ2G
描述 IGBT 1200V 67A 272W TMAX
制造商 Microsemi
單價
1 ---------- $80.6825
50 ---------- $76.9005
100 ---------- $73.1185
200 ---------- $69.3365
400 ---------- $66.1849
500 ---------- $63.0332
庫存 2,224
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 25 - 一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT25GN120B2DQ2G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT25GN120B2DQ2G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT25GN120B2DQ2G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT, Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)67A
電流-集電極脈沖(Icm)75A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 25A
功率-最大272W
開關能量2.15µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用155nC
25°C時的Td(開/關)22ns/280ns
測試條件800V, 25A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3 Variant
供應商設備包裝-

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180A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 45A

功率-最大

300W

開關能量

360µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

135nC

25°C時的Td(開/關)

-/151ns

測試條件

400V, 45A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

498ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.0V @ 5V, 10A

功率-最大

125W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

22nC

25°C時的Td(開/關)

500ns/4µs

測試條件

300V, 8A, 100Ohm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 17A

功率-最大

150W

開關能量

3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

100ns/500ns

測試條件

800V, 17A, 82Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

50ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

70A

電流-集電極脈沖(Icm)

140A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

4V @ 15V, 35A

功率-最大

300W

開關能量

10mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

150nC

25°C時的Td(開/關)

80ns/400ns

測試條件

960V, 35A, 2.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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