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APT25GR120BSCD10

APT25GR120BSCD10

僅供參考

型號 APT25GR120BSCD10
PNEDA編號 APT25GR120BSCD10
描述 IGBT 1200V 75A 521W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,472
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT25GR120BSCD10資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT25GR120BSCD10
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單
數據表
APT25GR120BSCD10, APT25GR120BSCD10數據表 (總頁數: 7, 大小: 1,088.85 KB)
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APT25GR120BSCD10規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 25A
功率-最大521W
開關能量434µJ (on), 466µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用203nC
25°C時的Td(開/關)16ns/122ns
測試條件600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

400µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

100nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/130ns

測試條件

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

25ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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供應商設備包裝

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

3.2A

電流-集電極脈沖(Icm)

3.5A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 1A

功率-最大

28W

開關能量

140µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

8.6nC

25°C時的Td(開/關)

13ns/370ns

測試條件

800V, 1A, 241Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

83ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3

供應商設備包裝

PG-TO220-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

76A

電流-集電極脈沖(Icm)

105A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.85V @ 15V, 35A

功率-最大

268W

開關能量

390µJ (on), 632µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

104nC

25°C時的Td(開/關)

46ns/105ns

測試條件

400V, 35A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

120ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

200W

開關能量

305µJ (on), 181µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

102nC

25°C時的Td(開/關)

29.5ns/118ns

測試條件

390V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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