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APT25GR120S

APT25GR120S

僅供參考

型號 APT25GR120S
PNEDA編號 APT25GR120S
描述 IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT25GR120S資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT25GR120S
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT25GR120S規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 25A
功率-最大521W
開關能量742µJ (on), 427µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用203nC
25°C時的Td(開/關)16ns/122ns
測試條件600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝D3Pak

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制造商

Renesas Electronics America

系列

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IGBT類型

Trench

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.75V @ 15V, 50A

功率-最大

250W

開關能量

1.3mJ (on), 1.2mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

38ns/125ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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IGBT類型

Trench Field Stop

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 30A

功率-最大

38W

開關能量

300µJ (on), 960µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

80nC

25°C時的Td(開/關)

31.6ns/115ns

測試條件

400V, 30A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

140ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

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工作溫度

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安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

120A

電流-集電極脈沖(Icm)

240A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 60A

功率-最大

333W

開關能量

227µJ (on), 100µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

79nC

25°C時的Td(開/關)

20.8ns/102ns

測試條件

400V, 15A, 4.7Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

34.6ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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