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APT25GR120S

APT25GR120S

僅供參考

型號 APT25GR120S
PNEDA編號 APT25GR120S
描述 IGBT 1200V 75A 521W D3PAK
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 31 - 二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT25GR120S資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT25GR120S
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT25GR120S規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
電流-集電極脈沖(Icm)100A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 25A
功率-最大521W
開關能量742µJ (on), 427µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用203nC
25°C時的Td(開/關)16ns/122ns
測試條件600V, 25A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
供應商設備包裝D3Pak

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

650V

當前-集電極(Ic)(最大值)

74A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 40A

功率-最大

255W

開關能量

390µJ (on), 120µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

95nC

25°C時的Td(開/關)

22ns/165ns

測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

62ns

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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供應商設備包裝

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FGB3245G2-F085

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

450V

當前-集電極(Ic)(最大值)

23A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.25V @ 4V, 6A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

23nC

25°C時的Td(開/關)

900ns/5.4µs

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

電流-集電極脈沖(Icm)

200A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 50A

功率-最大

652W

開關能量

3.8mJ (on), 3.3mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

235nC

25°C時的Td(開/關)

34ns/312ns

測試條件

400V, 50A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

Through Hole

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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開關能量

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門禁費用

270nC

25°C時的Td(開/關)

32ns/123ns

測試條件

600V, 100A, 1Ohm, 15V

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