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APT27ZTR-G1

APT27ZTR-G1

僅供參考

型號 APT27ZTR-G1
PNEDA編號 APT27ZTR-G1
描述 TRANS NPN 450V 0.8A TO92
制造商 Diodes Incorporated
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT27ZTR-G1資源

品牌 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT27ZTR-G1
類別半導體晶體管晶體管-雙極(BJT)-單
數據表
APT27ZTR-G1, APT27ZTR-G1數據表 (總頁數: 5, 大小: 332.42 KB)
PDFAPT27ZTR-G1數據表 封面
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APT27ZTR-G1規格

制造商Diodes Incorporated
系列-
晶體管類型NPN
當前-集電極(Ic)(最大值)800mA
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)450V
Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic500mV @ 40mA, 200mA
當前-集電極截止(最大值)10µA
直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce15 @ 100mA, 10V
功率-最大800mW
頻率-過渡-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供應商設備包裝TO-92

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Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

3V @ 800mA, 8A

當前-集電極截止(最大值)

5µA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

80 @ 1A, 5V

功率-最大

50W

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

80V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

500mV @ 50mA, 500mA

當前-集電極截止(最大值)

100nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 2V

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當前-集電極截止(最大值)

300µA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

15 @ 1A, 4V

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2W

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50nA

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

100 @ 150mA, 10V

功率-最大

500mW

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當前-集電極(Ic)(最大值)

100mA

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

45V

Vce飽和度(最大值)@ Ib,Ic

600mV @ 5mA, 100mA

當前-集電極截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流電流增益(hFE)(最小值)@ Ic,Vce

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