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APT30DS60BG

APT30DS60BG

僅供參考

型號 APT30DS60BG
PNEDA編號 APT30DS60BG
描述 DIODE ARRAY GP 600V 20A TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,808
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT30DS60BG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT30DS60BG
類別半導體二極管與整流器整流器-數組

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APT30DS60BG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
二極管配置1 Pair Series Connection
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)600V
電流-平均整流(Io)(每個二極管)20A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果4V @ 30A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)24ns
當前-反向泄漏@ Vr250µA @ 600V
工作溫度-結點-55°C ~ 150°C
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-2
供應商設備包裝TO-247 [B]

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.25V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

45ns

當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 400V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

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二極管類型

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

200V

電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.05V @ 20A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

100µA @ 200V

工作溫度-結點

-55°C ~ 150°C

安裝類型

Through Hole

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

770mV @ 10A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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電流-平均整流(Io)(每個二極管)

20A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.55V @ 15A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

85ns

當前-反向泄漏@ Vr

15µA @ 600V

工作溫度-結點

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