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APT30M40B2VFRG

APT30M40B2VFRG

僅供參考

型號 APT30M40B2VFRG
PNEDA編號 APT30M40B2VFRG
描述 MOSFET N-CH 300V 76A T-MAX
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,318
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT30M40B2VFRG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT30M40B2VFRG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT30M40B2VFRG規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS V®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)300V
電流-25°C時的連續漏極(Id)76A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)-
Rds On(Max)@ Id,Vgs40mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 2.5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs425nC @ 10V
Vgs(最大)-
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)-
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝T-MAX™ [B2]
包裝/箱TO-247-3 Variant

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1030pF @ 20V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

29.8mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.8nC @ 4.5V

Vgs(最大)

+6V, -8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

840pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

500mW (Ta)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

220mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

65nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3200pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

312.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 70A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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