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APT31N80JC3

APT31N80JC3

僅供參考

型號 APT31N80JC3
PNEDA編號 APT31N80JC3
描述 MOSFET N-CH 800V 31A SOT-227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT31N80JC3資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT31N80JC3
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
APT31N80JC3, APT31N80JC3數據表 (總頁數: 5, 大小: 257.11 KB)
PDFAPT31N80JC3數據表 封面
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APT31N80JC3規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)31A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs145mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 2mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs355nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4510pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)833W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝ISOTOP®
包裝/箱SOT-227-4, miniBLOC

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 10.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

95nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3007pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 4.3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1066pF @ 10V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1.25W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 40A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 60µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8180pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

107W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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90mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

70pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

700mW (Ta)

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安裝類型

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±12V

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功耗(最大值)

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