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APT34F60B

APT34F60B

僅供參考

型號 APT34F60B
PNEDA編號 APT34F60B
描述 MOSFET N-CH 600V 34A TO-247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT34F60B資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT34F60B
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT34F60B規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs210mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs165nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds6640pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)624W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-247 [B]
包裝/箱TO-247-3

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制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

805pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

AOD409_001

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制造商

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系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

26A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

54nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3600pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

63nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5950pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4951pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

255W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.85mOhm @ 47A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

219nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

16590pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.33W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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