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APT34N80LC3G

APT34N80LC3G

僅供參考

型號 APT34N80LC3G
PNEDA編號 APT34N80LC3G
描述 MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,636
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT34N80LC3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT34N80LC3G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APT34N80LC3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)34A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs145mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 2mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs355nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4510pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)417W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-264 [L]
包裝/箱TO-264-3, TO-264AA

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FET類型

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24V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 80A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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ON Semiconductor

制造商

ON Semiconductor

系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

15.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 7.5A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

65W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

DPAK

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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制造商

Infineon Technologies

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3510pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.8W (Ta), 140W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.02A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

340mOhm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

45pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

560mW (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

700mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

29nC @ 2.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

80W (Tc)

工作溫度

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