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APT35GP120J

APT35GP120J

僅供參考

型號 APT35GP120J
PNEDA編號 APT35GP120J
描述 IGBT 1200V 64A 284W SOT227
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,138
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 3 - 二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT35GP120J資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT35GP120J
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APT35GP120J規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 7®
IGBT類型PT
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)64A
功率-最大284W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.9V @ 15V, 35A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce3.24nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱ISOTOP
供應商設備包裝ISOTOP®

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

14nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

6.9nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

270W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

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2.45V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

36nF @ 25V

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NTC熱敏電阻

No

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