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APT40GR120B2SCD10

APT40GR120B2SCD10

僅供參考

型號 APT40GR120B2SCD10
PNEDA編號 APT40GR120B2SCD10
描述 IGBT 1200V 88A 500W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,528
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT40GR120B2SCD10資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT40GR120B2SCD10
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT40GR120B2SCD10規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)88A
電流-集電極脈沖(Icm)160A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.2V @ 15V, 40A
功率-最大500W
開關能量929µJ (on), 1070µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用210nC
25°C時的Td(開/關)20ns/166ns
測試條件600V, 40A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 30A

功率-最大

300W

開關能量

3.47mJ (on), 2.16mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

87nC

25°C時的Td(開/關)

16ns/127ns

測試條件

960V, 30A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 60A

功率-最大

180W

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

275nC

25°C時的Td(開/關)

140ns/630ns

測試條件

600V, 60A, 51Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

1.2µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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供應商設備包裝

TO-264-3

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 75A

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

Standard

門禁費用

540nC

25°C時的Td(開/關)

90ns/580ns

測試條件

600V, 75A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

電流-集電極脈沖(Icm)

150A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 20A

功率-最大

200W

開關能量

305µJ (on), 181µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

102nC

25°C時的Td(開/關)

29.5ns/118ns

測試條件

390V, 20A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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