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APT44GA60BD30

APT44GA60BD30

僅供參考

型號 APT44GA60BD30
PNEDA編號 APT44GA60BD30
描述 IGBT 600V 78A 337W TO-247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,586
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 6 - 五月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT44GA60BD30資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT44GA60BD30
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT44GA60BD30規格

制造商Microsemi Corporation
系列POWER MOS 8™
IGBT類型PT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)78A
電流-集電極脈沖(Icm)130A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.5V @ 15V, 26A
功率-最大337W
開關能量409µJ (on), 258µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用128nC
25°C時的Td(開/關)16ns/84ns
測試條件400V, 26A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 15A

功率-最大

125W

開關能量

1.55mJ (on), 1.7mJ (off)

輸入類型

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門禁費用

48nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

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反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 15A

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輸入類型

Standard

門禁費用

85nC

25°C時的Td(開/關)

50ns/520ns

測試條件

600V, 15A, 56Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

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-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

電流-集電極脈沖(Icm)

120A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 40A

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1.46mJ (on), 540µJ (off)

輸入類型

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門禁費用

173nC

25°C時的Td(開/關)

35ns/85ns

測試條件

400V, 40A, 5Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

60ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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