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APT50GN60BG

APT50GN60BG

僅供參考

型號 APT50GN60BG
PNEDA編號 APT50GN60BG
描述 IGBT 600V 107A 366W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,850
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT50GN60BG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT50GN60BG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT50GN60BG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)107A
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.85V @ 15V, 50A
功率-最大366W
開關能量1185µJ (on), 1565µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用325nC
25°C時的Td(開/關)20ns/230ns
測試條件400V, 50A, 4.3Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

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開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

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工作溫度

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安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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功率-最大

180W

開關能量

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輸入類型

Standard

門禁費用

260nC

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

1.5µs

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

12A

電流-集電極脈沖(Icm)

18A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 6A

功率-最大

77W

開關能量

56µJ (on), 122µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

19.5nC

25°C時的Td(開/關)

27ns/75ns

測試條件

400V, 6A, 47Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

74ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

440V

當前-集電極(Ic)(最大值)

20A

電流-集電極脈沖(Icm)

50A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

功率-最大

150W

開關能量

-

輸入類型

Logic

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-/5µs

測試條件

300V, 9A, 1kOhm, 5V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 12A

功率-最大

100W

開關能量

500µJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

32nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/150ns

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