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APT50GS60BRG

APT50GS60BRG

僅供參考

型號 APT50GS60BRG
PNEDA編號 APT50GS60BRG
描述 IGBT 600V 93A 415W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,546
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT50GS60BRG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT50GS60BRG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT50GS60BRG規格

制造商Microsemi Corporation
系列Thunderbolt IGBT®
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)93A
電流-集電極脈沖(Icm)195A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.15V @ 15V, 50A
功率-最大415W
開關能量755µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用235nC
25°C時的Td(開/關)16ns/225ns
測試條件400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝TO-247 [B]

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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電流-集電極脈沖(Icm)

160A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 40A

功率-最大

468W

開關能量

1mJ (on), 1.32mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

158nC

25°C時的Td(開/關)

18ns/152ns

測試條件

600V, 40A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

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Infineon Technologies

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IGBT類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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當前-集電極(Ic)(最大值)

-

電流-集電極脈沖(Icm)

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

功率-最大

-

開關能量

-

輸入類型

-

門禁費用

-

25°C時的Td(開/關)

-

測試條件

-

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

30A

電流-集電極脈沖(Icm)

60A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.8V @ 15V, 15A

功率-最大

150W

開關能量

1.05mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

69nC

25°C時的Td(開/關)

25ns/150ns

測試條件

960V, 15A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

40ns

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-247-3

供應商設備包裝

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制造商

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系列

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IGBT類型

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

92A

電流-集電極脈沖(Icm)

440A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 100A

功率-最大

400W

開關能量

6.5mJ (on), 2.9mJ (off)

輸入類型

Standard

門禁費用

270nC

25°C時的Td(開/關)

48ns/123ns

測試條件

600V, 100A, 1Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

420ns

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 120A, 4.7Ohm, 15V

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