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APT50GT120B2RDQ2G

APT50GT120B2RDQ2G

僅供參考

型號 APT50GT120B2RDQ2G
PNEDA編號 APT50GT120B2RDQ2G
描述 IGBT 1200V 94A 625W TO247
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,760
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 20 - 四月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APT50GT120B2RDQ2G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APT50GT120B2RDQ2G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-單

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APT50GT120B2RDQ2G規格

制造商Microsemi Corporation
系列Thunderbolt IGBT®
IGBT類型NPT
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)94A
電流-集電極脈沖(Icm)150A
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.7V @ 15V, 50A
功率-最大625W
開關能量2330µJ (off)
輸入類型Standard
門禁費用340nC
25°C時的Td(開/關)24ns/230ns
測試條件800V, 50A, 4.7Ohm, 15V
反向恢復時間(trr)-
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱TO-247-3
供應商設備包裝-

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 20A

功率-最大

167W

開關能量

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輸入類型

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門禁費用

24.6nC

25°C時的Td(開/關)

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測試條件

400V, 20A, 15Ohm, 15V

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安裝類型

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包裝/箱

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電流-集電極脈沖(Icm)

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門禁費用

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25°C時的Td(開/關)

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

6A

電流-集電極脈沖(Icm)

12A

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 2A

功率-最大

30W

開關能量

64µJ

輸入類型

Standard

門禁費用

14nC

25°C時的Td(開/關)

20ns/259ns

測試條件

400V, 2A, 118Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

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電流-集電極脈沖(Icm)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 25A

功率-最大

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開關能量

620µJ (on), 330µJ (off)

輸入類型

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門禁費用

120nC

25°C時的Td(開/關)

30ns/140ns

測試條件

480V, 25A, 10Ohm, 15V

反向恢復時間(trr)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

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