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APTC60DSKM70T1G

APTC60DSKM70T1G

僅供參考

型號 APTC60DSKM70T1G
PNEDA編號 APTC60DSKM70T1G
描述 MOSFET 2N-CH 600V 39A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,100
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60DSKM70T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60DSKM70T1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC60DSKM70T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型2 N Channel (Dual Buck Chopper)
FET功能Super Junction
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)39A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 2.7mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs259nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds700pF @ 25V
功率-最大250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

135mOhm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

290pF @ 25V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

1.3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2360pF @ 6V

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.7A, 3.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

43mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA, 460mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.7nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9.5pF @ 10V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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