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APTC60HM70T1G

APTC60HM70T1G

僅供參考

型號 APTC60HM70T1G
PNEDA編號 APTC60HM70T1G
描述 MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 3 - 十一月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60HM70T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60HM70T1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC60HM70T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)39A
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 2.7mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs259nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds7000pF @ 25V
功率-最大250W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.7mOhm @ 16.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

825pF @ 10V

功率-最大

27W, 48W

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A, 2.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 3.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

400pF @ 15V

功率-最大

840mW

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

570pF @ 30V

功率-最大

2.5W

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

100mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12pF @ 3V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

57mOhm @ 2.3A, 2.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

750mV @ 11µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.7nC @ 2.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

259pF @ 10V

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