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APTC60TAM21SCTPAG

APTC60TAM21SCTPAG

僅供參考

型號 APTC60TAM21SCTPAG
PNEDA編號 APTC60TAM21SCTPAG
描述 MOSFET 6N-CH 600V 116A SP6-P
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,022
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60TAM21SCTPAG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60TAM21SCTPAG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC60TAM21SCTPAG規格

制造商Microsemi Corporation
系列CoolMOS™
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)116A
Rds On(Max)@ Id,Vgs21mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.6V @ 6mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs580nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds13000pF @ 100V
功率-最大625W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝SP6-P

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3.5A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1184nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

40800pF @ 25V

功率-最大

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4.8mOhm @ 35A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

59mOhm @ 3.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.4mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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