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APTC60TDUM35PG

APTC60TDUM35PG

僅供參考

型號 APTC60TDUM35PG
PNEDA編號 APTC60TDUM35PG
描述 MOSFET 6N-CH 600V 72A SP6-P
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,740
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC60TDUM35PG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC60TDUM35PG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTC60TDUM35PG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型6 N-Channel (3-Phase Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)72A
Rds On(Max)@ Id,Vgs35mOhm @ 72A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 5.4mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs518nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds14000pF @ 25V
功率-最大416W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6-P

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

90mOhm @ 2.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

405pF @ 10V

功率-最大

350mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 20V

功率-最大

21W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.8A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1790pF @ 20V

功率-最大

1.8W

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