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APTC80H29T1G

APTC80H29T1G

僅供參考

型號 APTC80H29T1G
PNEDA編號 APTC80H29T1G
描述 MOSFET 4N-CH 800V 15A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTC80H29T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTC80H29T1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTC80H29T1G, APTC80H29T1G數據表 (總頁數: 6, 大小: 324.5 KB)
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APTC80H29T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)800V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A
Rds On(Max)@ Id,Vgs290mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.9V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs90nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2254pF @ 25V
功率-最大156W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

3Ohm @ 50mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 10V

功率-最大

900mW

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.8nC @ 10V

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