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APTCV60HM70BT3G

APTCV60HM70BT3G

僅供參考

型號 APTCV60HM70BT3G
PNEDA編號 APTCV60HM70BT3G
描述 POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,156
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十月 1 - 十月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTCV60HM70BT3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTCV60HM70BT3G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTCV60HM70BT3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Boost Chopper, Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce3.15nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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8350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

110nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-50°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

1780W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

21nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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450A

功率-最大

1450W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

22nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

650W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

15nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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IGBT類型

Trench

配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

350W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

27nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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