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APTCV60TLM45T3G

APTCV60TLM45T3G

僅供參考

型號 APTCV60TLM45T3G
PNEDA編號 APTCV60TLM45T3G
描述 POWER MODULE IGBT3 SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,970
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 25 - 三月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTCV60TLM45T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTCV60TLM45T3G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTCV60TLM45T3G, APTCV60TLM45T3G數據表 (總頁數: 12, 大小: 585.6 KB)
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APTCV60TLM45T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Three Level Inverter - IGBT, FET
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce4.62nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

730W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

23nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

10A

功率-最大

66W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 10A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.71nF @ 30V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

25PM-AA

供應商設備包裝

25PM-AA

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IGBT類型

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配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 65°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

PS3GFANSET30601NOSA1

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IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

9nF @ 25V

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Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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