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APTGF100A120T3WG

APTGF100A120T3WG

僅供參考

型號 APTGF100A120T3WG
PNEDA編號 APTGF100A120T3WG
描述 IGBT NPT PHASE 1200V 130A SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,610
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 24 - 三月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGF100A120T3WG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGF100A120T3WG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGF100A120T3WG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)130A
功率-最大657W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.7V @ 15V, 100A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce6.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP3
供應商設備包裝SP3

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150A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.8V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

37nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

580A

功率-最大

1925W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.7V @ 15V, 400A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

2mA

輸入電容(Cies)@ Vce

28nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

D3

制造商

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系列

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

160A

功率-最大

500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 80A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.5nF @ 10V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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Three Phase Inverter with Brake

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

19A

功率-最大

75W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

600µA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.6nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

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