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APTGF150H120G

APTGF150H120G

僅供參考

型號 APTGF150H120G
PNEDA編號 APTGF150H120G
描述 IGBT MODULE NPT FULL BRIDGE SP6
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGF150H120G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGF150H120G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGF150H120G, APTGF150H120G數據表 (總頁數: 6, 大小: 433.28 KB)
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APTGF150H120G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
配置Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)200A
功率-最大961W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.7V @ 15V, 150A
當前-集電極截止(最大值)350µA
輸入電容(Cies)@ Vce10.2nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP6
供應商設備包裝SP6

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功率-最大

-

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

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NTC熱敏電阻

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

9.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

15A

功率-最大

113W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.24nF @ 10V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-20°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

26-DIP Module

供應商設備包裝

-

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

2 Independent

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

900A

功率-最大

5100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 900A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

54nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

355W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.3nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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