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APTGF30A60T1G

APTGF30A60T1G

僅供參考

型號 APTGF30A60T1G
PNEDA編號 APTGF30A60T1G
描述 IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,488
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGF30A60T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGF30A60T1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGF30A60T1G, APTGF30A60T1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 484.39 KB)
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APTGF30A60T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)42A
功率-最大140W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.45V @ 15V, 30A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.35nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.6V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.18nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

E1

供應商設備包裝

E1

CM150DU-24F

Powerex Inc.

制造商

Powerex Inc.

系列

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IGBT類型

Trench

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

59nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

320A

功率-最大

1430W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

23nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

POWIR® 62 Module

供應商設備包裝

POWIR® 62

FF800R12KF4

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

2 Independent

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

800A

功率-最大

5000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 800A

當前-集電極截止(最大值)

16mA

輸入電容(Cies)@ Vce

55nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

Module

APTGT300TL65G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

*

IGBT類型

-

配置

-

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

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-

功率-最大

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輸入電容(Cies)@ Vce

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