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APTGF50A120T1G

APTGF50A120T1G

僅供參考

型號 APTGF50A120T1G
PNEDA編號 APTGF50A120T1G
描述 IGBT MODULE NPT PHASE LEG SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,510
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGF50A120T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGF50A120T1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGF50A120T1G, APTGF50A120T1G數據表 (總頁數: 7, 大小: 485.47 KB)
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APTGF50A120T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型NPT
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
功率-最大312W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic3.7V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce3.45nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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200A

功率-最大

660W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.9V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.6nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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Asymmetrical Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

110A

功率-最大

385W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP3

供應商設備包裝

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制造商

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系列

-

IGBT類型

-

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

50A

功率-最大

180W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 30A

當前-集電極截止(最大值)

300nA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.6nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

735W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.15V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

50µA

輸入電容(Cies)@ Vce

19nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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