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APTGLQ25H120T1G

APTGLQ25H120T1G

僅供參考

型號 APTGLQ25H120T1G
PNEDA編號 APTGLQ25H120T1G
描述 POWER MODULE - IGBT
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 2,124
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGLQ25H120T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGLQ25H120T1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGLQ25H120T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大165W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.42V @ 15V, 25A
當前-集電極截止(最大值)50µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.43nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱Module
供應商設備包裝SP1

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300A

功率-最大

1250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

-

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

-

NTC熱敏電阻

-

工作溫度

-

安裝類型

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

15nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

功率-最大

280W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.77nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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制造商

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

220A

功率-最大

690W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 150A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

10.7nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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