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APTGLQ75H120T3G

APTGLQ75H120T3G

僅供參考

型號 APTGLQ75H120T3G
PNEDA編號 APTGLQ75H120T3G
描述 PWR MOD IGBT4 1200V 130A SP3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGLQ75H120T3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGLQ75H120T3G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGLQ75H120T3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)130A
功率-最大385W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)50µA
輸入電容(Cies)@ Vce4.4nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

3300V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1200A

功率-最大

13000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 1200A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

210nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

CM300HA-24H

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IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

2100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

60nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

7A

功率-最大

38W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 4A

當前-集電極截止(最大值)

10µA

輸入電容(Cies)@ Vce

0.34nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

E1

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1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

1200A

功率-最大

7800W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 1200A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

97nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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Module

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IGBT類型

-

配置

Full Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

480W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.3V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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