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APTGT200A170D3G

APTGT200A170D3G

僅供參考

型號 APTGT200A170D3G
PNEDA編號 APTGT200A170D3G
描述 IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 25 - 三月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT200A170D3G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT200A170D3G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT200A170D3G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)400A
功率-最大1250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 200A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce17nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D-3 Module
供應商設備包裝D3

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當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

24nF @ 25V

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NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

890W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

26.4nF @ 10V

輸入

Standard

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No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

20mW

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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