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APTGT25H120T1G

APTGT25H120T1G

僅供參考

型號 APTGT25H120T1G
PNEDA編號 APTGT25H120T1G
描述 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,624
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 10 - 二月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT25H120T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT25H120T1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGT25H120T1G, APTGT25H120T1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 276.76 KB)
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APTGT25H120T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
功率-最大156W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 25A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.8nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

2100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

60nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

APTGL40X120T3G

Microsemi

制造商

Microsemi Corporation

系列

-

IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

65A

功率-最大

220W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 35A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.95nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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SP3

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Infineon Technologies

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

240A

功率-最大

1100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

14nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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Infineon Technologies

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600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

26A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

880pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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配置

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當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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