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APTGT25H120T1G

APTGT25H120T1G

僅供參考

型號 APTGT25H120T1G
PNEDA編號 APTGT25H120T1G
描述 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 6,624
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT25H120T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT25H120T1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGT25H120T1G, APTGT25H120T1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 276.76 KB)
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APTGT25H120T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)40A
功率-最大156W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 25A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.8nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.55V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

880pF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1000V

當前-集電極(Ic)(最大值)

38A

功率-最大

205W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

750µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

SOT-227B

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

85A

功率-最大

390W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

5.7nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

300A

功率-最大

2100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

60nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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制造商

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

7.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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