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APTGT30H60T1G

APTGT30H60T1G

僅供參考

型號 APTGT30H60T1G
PNEDA編號 APTGT30H60T1G
描述 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,316
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT30H60T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT30H60T1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT30H60T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)50A
功率-最大90W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 30A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce1.6nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

80A

功率-最大

176W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

SP1

供應商設備包裝

SP1

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

24A

功率-最大

86W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

6MS30017E43W34404NOSA1

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

4280A

功率-最大

32300W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

-

當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-25°C ~ 55°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

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-

IGBT類型

NPT

配置

Three Phase Inverter with Brake

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

35A

功率-最大

180W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 15A

當前-集電極截止(最大值)

900µA

輸入電容(Cies)@ Vce

1nF @ 25V

輸入

Three Phase Bridge Rectifier

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

652W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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