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APTGT30SK170D1G

APTGT30SK170D1G

僅供參考

型號 APTGT30SK170D1G
PNEDA編號 APTGT30SK170D1G
描述 IGBT 1700V 45A 210W D1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 15 - 四月 20 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT30SK170D1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT30SK170D1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGT30SK170D1G, APTGT30SK170D1G數據表 (總頁數: 3, 大小: 185.41 KB)
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APTGT30SK170D1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)45A
功率-最大210W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 30A
當前-集電極截止(最大值)3mA
輸入電容(Cies)@ Vce2.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D1
供應商設備包裝D1

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

45nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

5.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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3460A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.05V @ 15V, 2.4kA

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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75A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.9V @ 15V, 45A

當前-集電極截止(最大值)

500µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.94nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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當前-集電極(Ic)(最大值)

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

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