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APTGT35H120T1G

APTGT35H120T1G

僅供參考

型號 APTGT35H120T1G
PNEDA編號 APTGT35H120T1G
描述 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,906
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 6 - 三月 11 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT35H120T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT35H120T1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGT35H120T1G, APTGT35H120T1G數據表 (總頁數: 5, 大小: 280.62 KB)
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APTGT35H120T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)55A
功率-最大208W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 35A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce2.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

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當前-集電極截止(最大值)

-

輸入電容(Cies)@ Vce

-

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Standard

NTC熱敏電阻

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

510A

功率-最大

2500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

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輸入電容(Cies)@ Vce

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1200V

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400A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

94nF @ 10V

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Standard

NTC熱敏電阻

No

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

700A

功率-最大

3900W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.75V @ 15V, 600A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

39nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

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320A

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.25V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

150µA

輸入電容(Cies)@ Vce

18nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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