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APTGT35SK120D1G

APTGT35SK120D1G

僅供參考

型號 APTGT35SK120D1G
PNEDA編號 APTGT35SK120D1G
描述 IGBT 1200V 55A 205W D1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,744
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT35SK120D1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT35SK120D1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGT35SK120D1G, APTGT35SK120D1G數據表 (總頁數: 3, 大小: 184.95 KB)
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APTGT35SK120D1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)55A
功率-最大205W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 35A
當前-集電極截止(最大值)5mA
輸入電容(Cies)@ Vce2.5nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D1
供應商設備包裝D1

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功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

250µA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

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460A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

18.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

1340W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

35nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

FP25R12KS4CBOSA1

Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

-

IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

功率-最大

230W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

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Module

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Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

150A

功率-最大

450W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

10.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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