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APTGT50A170TG

APTGT50A170TG

僅供參考

型號 APTGT50A170TG
PNEDA編號 APTGT50A170TG
描述 IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT50A170TG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT50A170TG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT50A170TG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Half Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1700V
當前-集電極(Ic)(最大值)75A
功率-最大312W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.4V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce4.4nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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600A

功率-最大

2500W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

36nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

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配置

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

410A

功率-最大

3330W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.25V @ 15V, 450A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

45nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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配置

Half Bridge

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

210A

功率-最大

1100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 150A (Typ)

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

11nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

55A

功率-最大

210W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.3V @ 15V, 401A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 125°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

90A

功率-最大

280W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.6V @ 15V, 75A

當前-集電極截止(最大值)

1.3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.2nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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