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APTGT50H60T1G

APTGT50H60T1G

僅供參考

型號 APTGT50H60T1G
PNEDA編號 APTGT50H60T1G
描述 IGBT MOD TRENCH FULL BRIDGE SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,910
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT50H60T1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT50H60T1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊

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APTGT50H60T1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Full Bridge Inverter
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)80A
功率-最大176W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 50A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce3.15nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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功率-最大

250W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.5V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

750µA

輸入電容(Cies)@ Vce

4.5nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

100A

功率-最大

400W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3V @ 15V, 100A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

8.8nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

480A

功率-最大

2170W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.5V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

3mA

輸入電容(Cies)@ Vce

38nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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IGBT類型

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

40A

功率-最大

230W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.7V @ 15V, 25A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

1.5nF @ 25V

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Standard

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Yes

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配置

Full Bridge Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

60A

功率-最大

160W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.9V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

3.1nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

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