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APTGT75DH60TG

APTGT75DH60TG

僅供參考

型號 APTGT75DH60TG
PNEDA編號 APTGT75DH60TG
描述 IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 8,748
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT75DH60TG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT75DH60TG
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGT75DH60TG, APTGT75DH60TG數據表 (總頁數: 5, 大小: 257.98 KB)
PDFAPTGT75DH60TG數據表 封面
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APTGT75DH60TG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Asymmetrical Bridge
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)600V
當前-集電極(Ic)(最大值)100A
功率-最大250W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic1.9V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)250µA
輸入電容(Cies)@ Vce4.62nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻Yes
工作溫度-40°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.4V @ 15V, 20A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

4nF @ 10V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

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制造商

Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

570A

功率-最大

1600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.2V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

4mA

輸入電容(Cies)@ Vce

42.4nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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制造商

Infineon Technologies

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IGBT類型

-

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

400A

功率-最大

1920W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

3.2V @ 15V, 200A

當前-集電極截止(最大值)

400µA

輸入電容(Cies)@ Vce

15nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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IGBT類型

Trench Field Stop

配置

Single Chopper

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

580A

功率-最大

2000W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.15V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

28nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

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配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

430A

功率-最大

1150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

1.8V @ 15V, 300A

當前-集電極截止(最大值)

350µA

輸入電容(Cies)@ Vce

24nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

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