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APTGT75SK120D1G

APTGT75SK120D1G

僅供參考

型號 APTGT75SK120D1G
PNEDA編號 APTGT75SK120D1G
描述 IGBT 1200V 110A 357W D1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 7,992
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 30 - 四月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTGT75SK120D1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTGT75SK120D1G
類別半導體晶體管晶體管-IGBT-模塊
數據表
APTGT75SK120D1G, APTGT75SK120D1G數據表 (總頁數: 3, 大小: 185.16 KB)
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APTGT75SK120D1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
IGBT類型Trench Field Stop
配置Single
電壓-集電極發射極擊穿(最大值)1200V
當前-集電極(Ic)(最大值)110A
功率-最大357W
Vce(on)(Max)@ Vge,Ic2.1V @ 15V, 75A
當前-集電極截止(最大值)4mA
輸入電容(Cies)@ Vce5345nF @ 25V
輸入Standard
NTC熱敏電阻No
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱D1
供應商設備包裝D1

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配置

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當前-集電極(Ic)(最大值)

75A

功率-最大

277W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.7V @ 15V, 50A

當前-集電極截止(最大值)

40µA

輸入電容(Cies)@ Vce

2.25nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

ISOTOP

供應商設備包裝

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Single

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1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

800A

功率-最大

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Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.4V @ 15V, 400A

當前-集電極截止(最大值)

1mA

輸入電容(Cies)@ Vce

33nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

D4

供應商設備包裝

D4

制造商

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系列

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IGBT類型

PT

配置

Single

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

600V

當前-集電極(Ic)(最大值)

200A

功率-最大

600W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 120A

當前-集電極截止(最大值)

200µA

輸入電容(Cies)@ Vce

11nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

No

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

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供應商設備包裝

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Infineon Technologies

系列

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IGBT類型

-

配置

2 Independent

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1700V

當前-集電極(Ic)(最大值)

-

功率-最大

4150W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.45V @ 15V, 650A

當前-集電極截止(最大值)

5mA

輸入電容(Cies)@ Vce

54nF @ 25V

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

-40°C ~ 150°C

安裝類型

Chassis Mount

包裝/箱

Module

供應商設備包裝

Module

制造商

IXYS

系列

-

IGBT類型

PT

配置

Three Phase Inverter

電壓-集電極發射極擊穿(最大值)

1200V

當前-集電極(Ic)(最大值)

28A

功率-最大

100W

Vce(on)(Max)@ Vge,Ic

2.1V @ 15V, 16A

當前-集電極截止(最大值)

100µA

輸入電容(Cies)@ Vce

-

輸入

Standard

NTC熱敏電阻

Yes

工作溫度

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安裝類型

Chassis Mount

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