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APTM100A23STG

APTM100A23STG

僅供參考

型號 APTM100A23STG
PNEDA編號 APTM100A23STG
描述 MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 8 - 四月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100A23STG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100A23STG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM100A23STG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Half Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1000V (1kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)36A
Rds On(Max)@ Id,Vgs270mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs308nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds8700pF @ 25V
功率-最大694W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

800mA (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.15nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

75pF @ 10V

功率-最大

1.5W

工作溫度

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FET類型

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FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

1.4W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Standard

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.8mOhm @ 15A, 10V, 1.17mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 4.5V, 92nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

功率-最大

38W (Tc), 83W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.6A (Ta), 3.2A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

369pF @ 10V, 440pF @ 10V

功率-最大

700mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

30A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

96nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6250pF @ 25V

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