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APTM100DA18TG

APTM100DA18TG

僅供參考

型號 APTM100DA18TG
PNEDA編號 APTM100DA18TG
描述 MOSFET N-CH 1000V 43A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,276
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM100DA18TG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM100DA18TG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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APTM100DA18TG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)1000V
電流-25°C時的連續漏極(Id)43A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs210mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs372nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10400pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)780W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
供應商設備包裝SP4
包裝/箱SP4

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.9mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 40µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2653pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.2mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3650pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 6.25W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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205mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.45nC @ 10V

Vgs(最大)

±40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

73pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.2W (Ta)

工作溫度

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.7Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

310pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

45W (Tc)

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功耗(最大值)

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