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APTM120DU29TG

APTM120DU29TG

僅供參考

型號 APTM120DU29TG
PNEDA編號 APTM120DU29TG
描述 MOSFET 2N-CH 1200V 34A SP4
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 4,032
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM120DU29TG資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM120DU29TG
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
APTM120DU29TG, APTM120DU29TG數據表 (總頁數: 6, 大小: 291.27 KB)
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APTM120DU29TG規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)34A
Rds On(Max)@ Id,Vgs348mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 5mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs374nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds10300pF @ 25V
功率-最大780W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP4
供應商設備包裝SP4

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 5.1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

780pF @ 25V

功率-最大

2.4W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.6A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1938pF @ 15V

功率-最大

1.4W, 2W

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

220mA, 200mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.38nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

22.6pF @ 15V

功率-最大

350mW

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

35nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

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