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APTM120H140FT1G

APTM120H140FT1G

僅供參考

型號 APTM120H140FT1G
PNEDA編號 APTM120H140FT1G
描述 MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1
制造商 Microsemi
單價 請求報價
庫存 3,942
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

APTM120H140FT1G資源

品牌 Microsemi
ECAD Module ECAD
制造商零件編號APTM120H140FT1G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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APTM120H140FT1G規格

制造商Microsemi Corporation
系列-
FET類型4 N-Channel (H-Bridge)
FET功能Standard
漏極至源極電壓(Vdss)1200V (1.2kV)
電流-25°C時的連續漏極(Id)8A
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.68Ohm @ 7A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID5V @ 1mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs145nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3812pF @ 25V
功率-最大208W
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Chassis Mount
包裝/箱SP1
供應商設備包裝SP1

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

63mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.1V @ 10µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.2nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

404.5pF @ 15V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

12mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

53nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2735pF @ 20V

功率-最大

1.3W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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